RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
28
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2665
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link