RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
38
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
38
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2346
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link