RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
25
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2681
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link