RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
3806
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link