RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
2841
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link