RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
2227
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link