RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
1843
AMD R5S38G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link