RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
47
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
3033
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link