RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
63
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
63
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2061
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link