RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1762
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link