RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3440
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link