RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
79
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
4.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
79
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1671
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link