RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3601
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link