RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3510
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link