RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3739
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link