RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3739
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link