RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3314
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link