RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3015
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link