RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3462
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link