RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3639
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link