RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3222
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link