RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3143
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link