RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3563
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link