RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2942
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link