RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3402
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link