RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2826
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link