RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3465
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link