RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2848
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link