RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2359
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link