RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
62
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2710
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link