RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3394
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link