RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
4048
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link