RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3683
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link