RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3241
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link