RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2462
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link