RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3660
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link