RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3164
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link