RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2723
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link