RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3256
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link