RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1842
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link