RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2206
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link