RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2447
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link