RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2910
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link