RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3437
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link