RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424051 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
97
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
97
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1270
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link