RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2902
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link