RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3121
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link