RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2370
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link