RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2296
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link