RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3419
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link