RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2490
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link